GaAs substraty
Düşündiriş
“Gallium Arsenide” (GaAs) möhüm we ýetişen III-Ⅴ birleşýän ýarymgeçiriji, optoelektronika we mikroelektronika pudagynda giňden ulanylýar.GaA-lar esasan iki kategoriýa bölünýär: ýarym izolýasiýa GaA we N görnüşli GaA.Insarym izolýasiýa GaA esasan radar, mikrotolkun we millimetr tolkun aragatnaşyklarynda, aşa ýokary tizlikli kompýuterlerde we optiki süýümli aragatnaşykda ulanylýan MESFET, HEMT we HBT gurluşlary bilen integral zynjyrlary döretmek üçin ulanylýar.N görnüşli GaA esasan infragyzyl lazerlerde, kwant guýusy ýokary güýçli lazerlerde we ýokary netijelilikli gün öýjüklerinde LD, LED-de ulanylýar.
Sypatlar
| Kristal | Doped | Geçirijiniň görnüşi | Akymlaryň konsentrasiýasy cm-3 | Dykyzlygy cm-2 | Ösüş usuly |
| GaAs | Hiç | Si | / | <5 × 105 | LEC |
| Si | N | > 5 × 1017 | |||
| Cr | Si | / | |||
| Fe | N | ~ 2 × 1018 | |||
| Zn | P | > 5 × 1017 |
GaAs substrat kesgitlemesi
GaAs substraty, galiý arsenidinden (GaAs) kristal materialdan ýasalan substraty aňladýar.GaAs gallium (Ga) we arsen (As) elementlerinden ybarat birleşýän ýarymgeçiriji.
GaAs substratlary ajaýyp aýratynlyklary sebäpli köplenç elektronika we optoelektronika ugurlarynda ulanylýar.GaAs substratlarynyň käbir esasy aýratynlyklary şulary öz içine alýar:
1. Electrokary elektron hereketi: GaA-lar kremniý (Si) ýaly beýleki ýarymgeçiriji materiallardan has ýokary elektron hereketliligine eýe.Bu aýratynlyk, GaAs substratyny ýokary ýygylykly ýokary güýçli elektron enjamlary üçin amatly edýär.
2. Göni zolakly boşluk: GaA-larda göni zolakly boşluk bar, bu bolsa elektronlar we deşikler birleşende netijeli ýagtylyk çykmagy bolup biler.Bu häsiýet, GaAs substratlaryny ýagtylyk çykaryjy diodlar (LED) we lazer ýaly optoelektroniki programmalar üçin ideal edýär.
3. Giň zolakly: GaA-lar kremniden has giň zolakly bolup, has ýokary temperaturada işlemäge mümkinçilik berýär.Bu häsiýet, GaAs esasly enjamlara ýokary temperaturaly şertlerde has netijeli işlemäge mümkinçilik berýär.
4. Pes ses: GaAs substratlary pes ses derejesini görkezýär, pes ses güýçlendirijileri we beýleki duýgur elektron programmalary üçin amatly edýär.
GaAs substratlary ýokary tizlikli tranzistorlary, mikrotolkun integral zynjyrlaryny (IC), fotoelektrik öýjüklerini, foton detektorlaryny we gün öýjüklerini öz içine alýan elektron we optoelektron enjamlarynda giňden ulanylýar.
Bu substratlar metal organiki himiki bug buglanyşy (MOCVD), molekulýar şöhle epitaksiýasy (MBE) ýa-da suwuk faza epitaksiýasy (LPE) ýaly dürli usullary ulanyp taýýarlanyp bilner.Ulanylýan aýratyn ösüş usuly, islenýän programma we GaAs substratynyň hil talaplaryna baglydyr.
